如風歲月，硅是地球上儲藏最豐富的材料之一。硅的單體，具有基本完整的點陣結構的晶體。硅片是半導體器件、集成電路和太陽能電池中使用最廣泛的材料。

　　目前，硅片主流產品是200mm，逐漸向300mm過渡，研制水平達到400mm～450mm。據統計，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。Gartner發布的對硅片需求的5年預測表明，全球300mm硅片將從2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韓等國家都已經在1999年開始逐步擴大300mm硅片產量。據不完全統計，全球目前已建、在建和計劃建的300mm硅器件生產線約有40余條，主要分布在美國和我國臺灣等，僅我國臺灣就有20多條生產線，其次是日、韓、新加坡及歐洲。

　　硅片直徑越大，技術要求越高，越有市場前景，價值也就越高。隨著技術的不斷進步，對硅片質量的要求也越來越高，特別是對硅拋光片表面質量的要求越來越嚴。這主要是因為拋光片表面的顆粒、金屬沾污、有機物沾污、自然氧化膜、微粗糙度等會嚴重影響器件的品質和成品率。因此，硅片表面的清洗就成為了半導體材料及器件生產中至關重要的環節。

　　RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。

　?。?）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬，但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。

　?。?）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時，在自然氧化膜被腐蝕掉時，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。

　?。?）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕硅片表面的同時，H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

　?。?）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。

　　由于RCA清洗法使用大量的化學試劑（NH4OH、HCl、H2O2、HF等），大量使用高純度化學試劑，將增加運行成本，同時也將帶來對環境的污染。因此，摸索新的硅片清洗的工藝勢在必行。

　　艾森實驗室經過多年的探索和研究，研發出ES-375硅晶片專用清洗劑。能夠克服RCA清洗的缺點，達到良好的清洗效果。

　　本產品具有以下優點：1.清洗劑中加入了特選的滲透劑，能夠降低清洗劑的表面張力，增強清洗劑滲透性，對硅片有很好的清洗效果。2.清洗劑選用有機堿類，根據相似相容原理，能夠提高清洗劑對硅片有機物的清洗效果。3.清洗劑中的表面活性劑和滲透劑能夠很好的降低清洗劑的表面張力，同時具有水溶性好、滲透性強、無污染等優點。4.清洗劑中的表面活性劑能夠增強質量傳遞，保證清洗的均勻性，降低硅片的表面粗糙度。5.清洗劑中選用高效螯合劑，能夠和幾十種金屬離子形成穩定的螯合物，能有效的去除硅片上的金屬離子。6.清洗劑中選用的化學試劑屬于非破壞臭氧層物質，滿足環保要求。7.工藝流程簡單，操作方便，是理想的清洗配套產品。

　　附錄：ES-375硅晶片清洗劑

　　1.產品簡介

　?。?61656;  本品是一種硅晶片（多晶、單晶）專用清洗劑，可有效清除線切割、研磨等加工后的污垢；是超聲波清洗的最佳選擇；

　　2.產品特性

　　2.1 濃縮型產品，低濃度稀釋使用，平均清洗成本低；

　　2.2 清洗能力強，通過螯合、絡合、剝離等物理和化學作用，使硅晶片表面的污物雜質去除干凈；清洗效果好，清洗后硅晶片表面色澤一致，無花斑；

　　2.3 對硅晶片安全無腐蝕；易于漂洗；

　　2.4 性能穩定，在正常貯存條件下，有效期內質量不會變化；運輸、儲存安全方便。

　　3. 技術參數

　　外觀 黃色透明液體 可燃性 不燃 參考溫度 50～70℃

　　密度 1.06±0.15 g/ml PH值 12.5±0.5  參考用量

　　沸點 100℃  保質期 2年  使用濃度 5～15%

　　氣味 無     執行標準： Q/OCKX001-2007

　　4.用 途

　　適用于硅晶片（包括單晶硅、多晶硅）線切割、研磨等加工后的清洗。

　　5.使用方法

　　適用于刷洗、浸泡、超聲波等清洗方式，是進口及國產清洗機理想的配套產品；

　　線切割后的硅晶片先進行清水噴淋以及熱水除膠等預處理；將預處理后的硅晶片放入清洗機中，首先是兩槽清水常溫鼓泡清洗，然后進入二槽配有5%-15%的ES-375清洗劑的超聲波清洗機中，加溫至50～70℃，清洗3-10min，隨即采用二槽純水漂洗； 洗凈后的硅晶片按生產工藝要求實施離心烘干、檢驗和包裝等后續工序；如果ES-375清洗液呈疲勞時，可適當補充一定量的ES-375清洗劑；清洗劑槽建議配有過濾裝置以延長槽液的使用壽命，減少顆粒污染，避免劃痕提高清洗效果；循環過濾裝置建議采用下進水，避免液體運動產生大量泡沫；用戶可根據硅晶片污物殘留量、污垢組成、清潔度要求、清洗方式、干燥方式等具體情況在線試驗，以確定最佳的工藝參數。

　　6.注意事項

　　6.1 避免清洗液長時間直接接觸皮膚；如產品濺入眼睛，立即用大量清水沖洗，嚴重不適時求助醫生；

　　6.2少量泄漏可使用拖布水洗，大量泄漏時可使用沙土吸收。

　　7.包裝規格

　　25L/桶